ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

FDG311N Hinnoittelu (USD) [529955kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

Osa numero:
FDG311N
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDG311N electronic components. FDG311N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG311N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDG311N
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Sarja : PowerTrench®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 750mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SC-88 (SC-70-6)
Paketti / asia : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363