Osa numero :
IRF610STRLPBF
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
3W (Ta), 36W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
D2PAK
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB