Osa numero :
SI7342DP-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.25 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8