NXP USA Inc. - BUK9E4R4-80E,127

KEY Part #: K6400030

[3538kpl varastossa]


    Osa numero:
    BUK9E4R4-80E,127
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK9E4R4-80E,127 electronic components. BUK9E4R4-80E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9E4R4-80E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E4R4-80E,127 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BUK9E4R4-80E,127
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
    Sarja : TrenchMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 123nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±10V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 17130pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 349W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : I2PAK
    Paketti / asia : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • DN2535N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • R6006ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM.

    • IRLI3705NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP.