ON Semiconductor - FDB3652

KEY Part #: K6418516

FDB3652 Hinnoittelu (USD) [67009kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.58642
  • 800 pcs$0.58350

Osa numero:
FDB3652
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - JFET and Tiristorit - DIAC, SIDAC ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDB3652 electronic components. FDB3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB3652 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDB3652
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Sarja : PowerTrench®
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 61A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 150W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D²PAK
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.