Nexperia USA Inc. - PSMN069-100YS,115

KEY Part #: K6418614

PSMN069-100YS,115 Hinnoittelu (USD) [312570kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11893
  • 1,500 pcs$0.11833

Osa numero:
PSMN069-100YS,115
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH LFPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN069-100YS,115 electronic components. PSMN069-100YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN069-100YS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN069-100YS,115 Tuoteominaisuudet

Osa numero : PSMN069-100YS,115
Valmistaja : Nexperia USA Inc.
Kuvaus : MOSFET N-CH LFPAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72.4 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 56W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
Paketti / asia : SC-100, SOT-669