NXP USA Inc. - PHB101NQ04T,118

KEY Part #: K6415191

[12496kpl varastossa]


    Osa numero:
    PHB101NQ04T,118
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. PHB101NQ04T,118 electronic components. PHB101NQ04T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB101NQ04T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHB101NQ04T,118 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : PHB101NQ04T,118
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    Sarja : TrenchMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36.6nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2020pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 157W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.