Vishay Siliconix - IRF640PBF

KEY Part #: K6406461

IRF640PBF Hinnoittelu (USD) [52836kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.64889
  • 100 pcs$0.51267
  • 500 pcs$0.39760
  • 1,000 pcs$0.29692

Osa numero:
IRF640PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRF640PBF electronic components. IRF640PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF640PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF640PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 125W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut