1N459TR Hinnoittelu (USD) [3569519kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01036
- 30,000 pcs$0.01024
- Osa numero:
- 1N459TR
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - RF and Tehonohjaimen moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor 1N459TR electronic components. 1N459TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N459TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N459TR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N459TR
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
25nA @ 175V
Kapasitanssi @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-35
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08