Vishay Siliconix - SUP57N20-33-E3

KEY Part #: K6398693

SUP57N20-33-E3 Hinnoittelu (USD) [17512kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.27842
  • 10 pcs$2.03603
  • 100 pcs$1.66955
  • 500 pcs$1.35193
  • 1,000 pcs$1.08171

Osa numero:
SUP57N20-33-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SUP57N20-33-E3 electronic components. SUP57N20-33-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP57N20-33-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP57N20-33-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SUP57N20-33-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.

  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • IRFI520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP.