ON Semiconductor - FDB8874

KEY Part #: K6411248

[13856kpl varastossa]


    Osa numero:
    FDB8874
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor FDB8874 electronic components. FDB8874 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8874, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB8874 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : FDB8874
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
    Sarja : PowerTrench®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta), 121A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3130pF @ 15V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 110W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : TO-263AB
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVN3320ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3.

    • ZVN3320ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3.

    • ZVN3310ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • ZVN3306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • ZVN3306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • ZVN2535ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.