Infineon Technologies - IPA60R380P6XKSA1

KEY Part #: K6417890

IPA60R380P6XKSA1 Hinnoittelu (USD) [44961kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.75258
  • 10 pcs$0.68108
  • 100 pcs$0.54729
  • 500 pcs$0.42568
  • 1,000 pcs$0.33364

Osa numero:
IPA60R380P6XKSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPA60R380P6XKSA1 electronic components. IPA60R380P6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA60R380P6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA60R380P6XKSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPA60R380P6XKSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Sarja : CoolMOS™ P6
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 10.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 877pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 31W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO220-FP
Paketti / asia : TO-220-3 Full Pack

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.