Infineon Technologies - IPB020N10N5ATMA1

KEY Part #: K6401992

IPB020N10N5ATMA1 Hinnoittelu (USD) [27413kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.50341
  • 1,000 pcs$1.37928

Osa numero:
IPB020N10N5ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB020N10N5ATMA1 electronic components. IPB020N10N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB020N10N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB020N10N5ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB020N10N5ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 15600pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 375W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D²PAK (TO-263AB)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.