Osa numero :
IPB020N10N5ATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
15600pF @ 50V
Tehon hajautus (max) :
375W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
D²PAK (TO-263AB)
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB