VS-ST180S12P0V Hinnoittelu (USD) [869kpl varastossa]
- 1 pcs$50.91328
- 10 pcs$48.28707
- 25 pcs$46.97347
- 100 pcs$40.70975
- Osa numero:
- VS-ST180S12P0V
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93. SCRs 1200 Volt 200 Amp
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Zener - Arrays and Tehonohjaimen moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST180S12P0V electronic components. VS-ST180S12P0V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST180S12P0V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST180S12P0V Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-ST180S12P0V
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Jännite - Pois tila :
1.2kV
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) :
3V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) :
150mA
Jännite - tila (Vtm) (max) :
1.75V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) :
200A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) :
314A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) :
600mA
Nykyinen - Pois tila (maks.) :
30mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) :
5000A, 5230A
SCR-tyyppi :
Standard Recovery
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 125°C
Asennustyyppi :
Chassis, Stud Mount
Paketti / asia :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Toimittajalaitteen paketti :
TO-209AB (TO-93)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- C702CP
- T9KC600603DH
- T500047004AQ
- JANTX2N2325A
- MCR100-6-AP
- CPS041-CS18B-WN
- CS220-8D
- CS202-4B
- 2N2323AS
- 2N682A
- 2N681
- CS218I-30D
- CR5AS-12A#B01
- JAN2N2328S
- JAN2N2326A
- JANTXV2N2324
- JANTX2N2326S
- TIC116D-S
- TIC126D-S
- TYN16X-800RT,127
- SK006R
- CR02AM-8#F00
- 2N6394
- S4008FS31
- S2006VS2TP
- EC103B1AP
- EC103B1RP
- S4016R
- S8012R
- S8008R
- S2012DRP
- S8010V
- S6008V
- S8008V
- 16TTS12
- BT258X-600R,127
- JANTX2N2325U4
- JANTXV2N2323AS
- T72H1642K4DN
- S6010FS31