IXYS - IXTA2N100P

KEY Part #: K6417780

IXTA2N100P Hinnoittelu (USD) [41564kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

Osa numero:
IXTA2N100P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTA2N100P electronic components. IXTA2N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA2N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA2N100P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTA2N100P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Sarja : Polar™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 655pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 86W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-263 (IXTA)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut