Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-HE3-08

KEY Part #: K6452948

BAS21-HE3-08 Hinnoittelu (USD) [2064945kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01791
  • 15,000 pcs$0.01264

Osa numero:
BAS21-HE3-08
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA 50ns
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - SCR: t, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS21-HE3-08 electronic components. BAS21-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21-HE3-08 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BAS21-HE3-08
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100nA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS21-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • V20DL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 45V,TRENCH SKY RECT.