Kuvaus :
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24.3nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
655pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
86W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AB
Paketti / asia :
TO-220-3