ON Semiconductor - FCMT125N65S3

KEY Part #: K6397446

FCMT125N65S3 Hinnoittelu (USD) [31180kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.32179

Osa numero:
FCMT125N65S3
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
SF3 650V 125MOHM MOSFET.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FCMT125N65S3 electronic components. FCMT125N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCMT125N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT125N65S3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FCMT125N65S3
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : SF3 650V 125MOHM MOSFET
Sarja : SuperFET® III
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 590µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1920pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 181W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 4-PQFN (8x8)
Paketti / asia : 4-PowerTSFN