IXYS - IXFP5N100PM

KEY Part #: K6393606

IXFP5N100PM Hinnoittelu (USD) [27344kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.65703
  • 10 pcs$1.47855
  • 100 pcs$1.21241
  • 500 pcs$0.93141
  • 1,000 pcs$0.78553

Osa numero:
IXFP5N100PM
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFP5N100PM electronic components. IXFP5N100PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP5N100PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP5N100PM Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFP5N100PM
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Sarja : HiPerFET™, PolarP2™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1830pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 42W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220 Isolated Tab
Paketti / asia : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab