ON Semiconductor - FDH300ATR

KEY Part #: K6454507

FDH300ATR Hinnoittelu (USD) [3236035kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01206
  • 20,000 pcs$0.01200

Osa numero:
FDH300ATR
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDH300ATR electronic components. FDH300ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDH300ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDH300ATR Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDH300ATR
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 125V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1nA @ 125V
Kapasitanssi @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-35
Käyttölämpötila - liitos : 175°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SBRD10200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM11-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated