Osa numero :
JANTX1N6622US
Valmistaja :
Microsemi Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Sarja :
Military, MIL-PRF-19500/585
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
660V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.4V @ 1.2A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
500nA @ 660V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SQ-MELF, A
Toimittajalaitteen paketti :
D-5A
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C