Osa numero :
PHD3055E,118
Valmistaja :
NXP USA Inc.
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
33W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DPAK
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63