SE20AFB-M3/6B Hinnoittelu (USD) [1006146kpl varastossa]
- 1 pcs$0.03879
- 14,000 pcs$0.03860
- Osa numero:
- SE20AFB-M3/6B
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20AFB-M3/6B electronic components. SE20AFB-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20AFB-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE20AFB-M3/6B Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SE20AFB-M3/6B
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1.3A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 2A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
1.2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Toimittajalaitteen paketti :
DO-221AC (SlimSMA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
U1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08