Osa numero :
TPW4R50ANH,L1Q
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
92A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 50V
Tehon hajautus (max) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-DSOP Advance
Paketti / asia :
8-PowerVDFN