Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BMMA

KEY Part #: K7359694

[21593kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B4G1646D-BMMA
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: GDDR5, GDDR6, DDR4, LPDDR5, LPDDR4, LPDDR4X, HBM Aquabolt and LPDDR3 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BMMA electronic components. K4B4G1646D-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BMMA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B4G1646D-BMMA
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Nopeus : 1600 Mbps
    Jännite : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Kuumat osat