Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G1646F-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BMMA

KEY Part #: K7359663

[21752kpl varastossa]

    Osa numero:
    K4B2G1646F-BMMA
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: GDDR6, LPDDR3, MODULE, HBM Flarebolt, GDDR5, DDR3, SLC Nand and LPDDR4X ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BMMA electronic components. K4B2G1646F-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G1646F-BMMA Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4B2G1646F-BMMA
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR3
    Tiheys : 2 Gb
    Org. : 128M x 16
    Nopeus : 1600 Mbps
    Jännite : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Uusimmat uutiset

    Inside the building blocks of the 5G future
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Kuumat osat