Diodes Incorporated - DMN1029UFDB-13

KEY Part #: K6522434

DMN1029UFDB-13 Hinnoittelu (USD) [694654kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05325
  • 10,000 pcs$0.04731

Osa numero:
DMN1029UFDB-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Single and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1029UFDB-13 electronic components. DMN1029UFDB-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1029UFDB-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1029UFDB-13 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMN1029UFDB-13
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V
Teho - Max : 1.4W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 6-UDFN Exposed Pad
Toimittajalaitteen paketti : U-DFN2020-6 (Type B)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • DMC25D0UVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • AO8820

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

  • AO8801A

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.

  • AO8814

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

  • AO8808A

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP.

  • SI4670DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC.