Infineon Technologies - IPD031N03LGBTMA1

KEY Part #: K6420186

IPD031N03LGBTMA1 Hinnoittelu (USD) [168360kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.21969
  • 2,500 pcs$0.20154

Osa numero:
IPD031N03LGBTMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - RF, Diodit - Zener - Single and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1 electronic components. IPD031N03LGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD031N03LGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD031N03LGBTMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPD031N03LGBTMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 94W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut