Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST230S16P0PBF

KEY Part #: K6458700

VS-ST230S16P0PBF Hinnoittelu (USD) [955kpl varastossa]

  • 1 pcs$46.30424
  • 10 pcs$40.91912
  • 25 pcs$39.80544
  • 100 pcs$37.02189

Osa numero:
VS-ST230S16P0PBF
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
SCR 1600V 360A TO-93. SCR Modules RECOMMENDED ALT 78-VS-ST230S14P0
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - RF, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST230S16P0PBF electronic components. VS-ST230S16P0PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST230S16P0PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST230S16P0PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : VS-ST230S16P0PBF
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : SCR 1600V 360A TO-93
Sarja : -
Osan tila : Active
Jännite - Pois tila : 1.6kV
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) : 3V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) : 150mA
Jännite - tila (Vtm) (max) : 1.55V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) : 230A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) : 360A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) : 600mA
Nykyinen - Pois tila (maks.) : 30mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) : 4800A, 5000A
SCR-tyyppi : Standard Recovery
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C
Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount
Paketti / asia : TO-209AB, TO-93-4, Stud
Toimittajalaitteen paketti : TO-209AB (TO-93)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode