VS-ST230S16P0PBF Hinnoittelu (USD) [955kpl varastossa]
- 1 pcs$46.30424
- 10 pcs$40.91912
- 25 pcs$39.80544
- 100 pcs$37.02189
- Osa numero:
- VS-ST230S16P0PBF
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- SCR 1600V 360A TO-93. SCR Modules RECOMMENDED ALT 78-VS-ST230S14P0
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - Zener - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST230S16P0PBF electronic components. VS-ST230S16P0PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST230S16P0PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST230S16P0PBF Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-ST230S16P0PBF
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
SCR 1600V 360A TO-93
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Jännite - Pois tila :
1.6kV
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) :
3V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) :
150mA
Jännite - tila (Vtm) (max) :
1.55V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) :
230A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) :
360A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) :
600mA
Nykyinen - Pois tila (maks.) :
30mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) :
4800A, 5000A
SCR-tyyppi :
Standard Recovery
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 125°C
Asennustyyppi :
Chassis, Stud Mount
Paketti / asia :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Toimittajalaitteen paketti :
TO-209AB (TO-93)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- T9K7300803DH
- VS-ST173S12PFK0
- VS-ST230S16M1PBF
- VS-ST180S16M0LPBF
- CPS053-CS92D-WN
- STT0019
- JAN2N2325U4
- 2N690
- 2N687
- JAN2N2328AS
- JAN2N2328
- JANTXV2N2323A
- JANTX2N2329
- BT169H/01U
- TIC126S-S
- T72H1245B4DN
- T7SH1846K4DN
- T72H104554DN
- T72H043544DN
- T72H0845B4DN
- T7SH104054DN
- T72H023584DN
- T7SH124064DN
- T7SH084074DN
- C448PB
- TYN16-800RTQ
- S4006FS21
- S2055RTP
- S2040NTP
- S2008VS3TP
- S2008LS3
- S2004DS1RP
- BTW68-1000RG
- SK016R
- 40TPS08A
- S4008VS2
- 112RKI40
- S4008LS2
- T106B1
- CLA30E1200PC