BAT54M3T5G Hinnoittelu (USD) [2125487kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01836
- 8,000 pcs$0.01827
- 16,000 pcs$0.01553
- 24,000 pcs$0.01462
- 56,000 pcs$0.01370
- Osa numero:
- BAT54M3T5G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 200mA SML SIGNAL
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor BAT54M3T5G electronic components. BAT54M3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54M3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT54M3T5G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAT54M3T5G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
800mV @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
5ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
2µA @ 25V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOT-723
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-723
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 125°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-50WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
-
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
-
CS1J-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 600V 1.0A DO-214AC. Rectifiers If 1A Vrrm 600V Ifsm 30A DO-214AC
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08