LS4150GS18 Hinnoittelu (USD) [3812532kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00970
- 10,000 pcs$0.00914
- Osa numero:
- LS4150GS18
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 600mA 4.0 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4150GS18 electronic components. LS4150GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4150GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LS4150GS18 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
LS4150GS18
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
600mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-80 Variant
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-80 QuadroMELF
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18