UG8JT-E3/45 Hinnoittelu (USD) [112550kpl varastossa]
- 1 pcs$0.32863
- 1,000 pcs$0.29918
- Osa numero:
- UG8JT-E3/45
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 8 Amp 600 Volt
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - moduulit and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG8JT-E3/45 electronic components. UG8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UG8JT-E3/45 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
UG8JT-E3/45
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.75V @ 8A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
30µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-220-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AC
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
SD103AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 100 Volt 35ns
-
FESB16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 150 Volt 35ns
-
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08