IXYS - IXTQ460P2

KEY Part #: K6397724

IXTQ460P2 Hinnoittelu (USD) [20374kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.22553
  • 10 pcs$1.98756
  • 100 pcs$1.62980
  • 500 pcs$1.31974
  • 1,000 pcs$1.05595

Osa numero:
IXTQ460P2
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - Arrays and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTQ460P2 electronic components. IXTQ460P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ460P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ460P2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTQ460P2
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Sarja : PolarP2™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2890pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 480W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-3P
Paketti / asia : TO-3P-3, SC-65-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.