BAS16WH6433XTMA1 Hinnoittelu (USD) [4266487kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01035
- 10,000 pcs$0.01030
- Osa numero:
- BAS16WH6433XTMA1
- Valmistaja:
- Infineon Technologies
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Infineon Technologies BAS16WH6433XTMA1 electronic components. BAS16WH6433XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16WH6433XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16WH6433XTMA1 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAS16WH6433XTMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
Sarja :
-
Osan tila :
Last Time Buy
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
80V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SC-70, SOT-323
Toimittajalaitteen paketti :
PG-SOT323-3
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR