EGL34GHE3_A/I Hinnoittelu (USD) [732237kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05051
- Osa numero:
- EGL34GHE3_A/I
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - SCR: t, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Diodit - Zener - Single ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3_A/I electronic components. EGL34GHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL34GHE3_A/I Tuoteominaisuudet
Osa numero :
EGL34GHE3_A/I
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 500mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-213AA (Glass)
Toimittajalaitteen paketti :
DO-213AA (GL34)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
Kuumat osat
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1