Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34G-E3/98

KEY Part #: K6457787

RGL34G-E3/98 Hinnoittelu (USD) [686193kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05688
  • 2,500 pcs$0.05660
  • 5,000 pcs$0.05317
  • 12,500 pcs$0.04974
  • 25,000 pcs$0.04574

Osa numero:
RGL34G-E3/98
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34G-E3/98 electronic components. RGL34G-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL34G-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34G-E3/98 Tuoteominaisuudet

Osa numero : RGL34G-E3/98
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 500mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AA (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AA (GL34)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated