Taiwan Semiconductor Corporation - ES3G R7G

KEY Part #: K6457341

ES3G R7G Hinnoittelu (USD) [457630kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08082

Osa numero:
ES3G R7G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB. Rectifiers 3A, 400V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Zener - Arrays and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7G electronic components. ES3G R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3G R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3G R7G Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES3G R7G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • ES2B-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • ES2FHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2FHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD