Vishay Semiconductor Diodes Division - IMBD4148-HE3-18

KEY Part #: K6458595

IMBD4148-HE3-18 Hinnoittelu (USD) [2853002kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01296
  • 10,000 pcs$0.01221

Osa numero:
IMBD4148-HE3-18
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4148-HE3-18 electronic components. IMBD4148-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMBD4148-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMBD4148-HE3-18 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IMBD4148-HE3-18
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 150mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2.5µA @ 70V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode