IXYS - IXTH5N100A

KEY Part #: K6394057

IXTH5N100A Hinnoittelu (USD) [11696kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.07220
  • 30 pcs$4.05194

Osa numero:
IXTH5N100A
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTH5N100A electronic components. IXTH5N100A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH5N100A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH5N100A Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTH5N100A
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 180W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247 (IXTH)
Paketti / asia : TO-247-3

Saatat myös olla kiinnostunut