Rohm Semiconductor - RB160L-40TE25

KEY Part #: K6458072

RB160L-40TE25 Hinnoittelu (USD) [848651kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04831
  • 1,500 pcs$0.04807

Osa numero:
RB160L-40TE25
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 40V 1A
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Zener - Single and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Rohm Semiconductor RB160L-40TE25 electronic components. RB160L-40TE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB160L-40TE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RB160L-40TE25 Tuoteominaisuudet

Osa numero : RB160L-40TE25
Valmistaja : Rohm Semiconductor
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 40V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 550mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100µA @ 40V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : PMDS
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM