[25904kpl varastossa]
- Osa numero:
- K4A4G165WE-BITD
- Valmistaja:
- Samsung Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: GDDR6, LPDDR3, SLC Nand, LPDDR4, LPDDR5, MODULE, HBM Flarebolt and HBM Aquabolt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD electronic components. K4A4G165WE-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WE-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G165WE-BITD Tuoteominaisuudet
Osa numero :
K4A4G165WE-BITD
Valmistaja :
Samsung Semiconductor
Kuvaus :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Sarja :
DDR4
Tiheys :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Nopeus :
2666 Mbps
Jännite :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paketti :
96FBGA
tuotteen tila :
Mass Production
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.