Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BITD

KEY Part #: K7359611

[26874kpl varastossa]


    Osa numero:
    K4A8G165WB-BITD
    Valmistaja:
    Samsung Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: HBM Aquabolt, MODULE, LPDDR3, SLC Nand, GDDR5, DDR4, GDDR6 and LPDDR5 ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BITD electronic components. K4A8G165WB-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WB-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G165WB-BITD Tuoteominaisuudet

    Osa numero : K4A8G165WB-BITD
    Valmistaja : Samsung Semiconductor
    Kuvaus : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Sarja : DDR4
    Tiheys : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    Nopeus : 2666 Mbps
    Jännite : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paketti : 96FBGA
    tuotteen tila : Mass Production

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA884901X-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.