Osa numero :
SI2324DS-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
234 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 50V
Tehon hajautus (max) :
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3 (TO-236)
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3