Infineon Technologies - IRFR812TRPBF

KEY Part #: K6420594

IRFR812TRPBF Hinnoittelu (USD) [216233kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.17105
  • 2,000 pcs$0.15140

Osa numero:
IRFR812TRPBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRFR812TRPBF electronic components. IRFR812TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR812TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR812TRPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFR812TRPBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 78W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut