SB007-03C-TB-E Hinnoittelu (USD) [1129485kpl varastossa]
- 1 pcs$0.03456
- 3,000 pcs$0.03438
- 6,000 pcs$0.03095
- 15,000 pcs$0.02751
- 30,000 pcs$0.02579
- 75,000 pcs$0.02292
- Osa numero:
- SB007-03C-TB-E
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE 70MA 30V
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor SB007-03C-TB-E electronic components. SB007-03C-TB-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB007-03C-TB-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SB007-03C-TB-E Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SB007-03C-TB-E
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
70mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
550mV @ 70mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
10ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 15V
Kapasitanssi @ Vr, F :
3pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
3-CP
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 125°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08