Infineon Technologies - IPD50N06S4L08ATMA2

KEY Part #: K6420659

IPD50N06S4L08ATMA2 Hinnoittelu (USD) [226427kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.16335
  • 2,500 pcs$0.15525

Osa numero:
IPD50N06S4L08ATMA2
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA2 electronic components. IPD50N06S4L08ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S4L08ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N06S4L08ATMA2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPD50N06S4L08ATMA2
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Sarja : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4780pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 71W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3-11
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut