Vishay Siliconix - SI7856ADP-T1-E3

KEY Part #: K6412789

[13323kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI7856ADP-T1-E3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-E3 electronic components. SI7856ADP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7856ADP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7856ADP-T1-E3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI7856ADP-T1-E3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 1.9W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
    Paketti / asia : PowerPAK® SO-8

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • 2N7008

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • IRLR3714ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.