IXYS - IXTT110N10P

KEY Part #: K6416698

IXTT110N10P Hinnoittelu (USD) [17686kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.57607
  • 30 pcs$2.56326

Osa numero:
IXTT110N10P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTT110N10P electronic components. IXTT110N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT110N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT110N10P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTT110N10P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Sarja : PolarHT™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3550pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 480W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-268
Paketti / asia : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.