1N4935GHB0G Hinnoittelu (USD) [2619647kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01412
- Osa numero:
- 1N4935GHB0G
- Valmistaja:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GHB0G electronic components. 1N4935GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4935GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4935GHB0G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N4935GHB0G
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
200ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
SB250-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT
-
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect
-
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC FER, Avalanche SM
-
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 2A TO277A. Rectifiers 4A,400V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 200V
-
AR4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
Kuumat osat
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08