GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

KEY Part #: K6444970

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...

Kilpailuetu:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA electronic components. 1N8035-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8035-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N8035-GA

Valmistaja : GeneSiC Semiconductor

Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Sarja : -

Osan tila : Obsolete

Diodin tyyppi : Silicon Carbide Schottky

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 650V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 14.6A (DC)

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 15A

Nopeus : No Recovery Time > 500mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 0ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 650V

Kapasitanssi @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : TO-276AA

Toimittajalaitteen paketti : TO-276

Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 250°C

Saatat myös olla kiinnostunut

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Kuumat osat